Позволяет в сверхвысоковакуумных условиях получать атомное изображение поверхности металлов и полупроводников, в том числе кремния, посредством регистрации туннельного тока между зондом и близко подведенной к нему исследуемой поверхности. Предназначен для исследования элементарных структурных процессов на поверхности полупроводников и металлов для создания наносистем и новых материалов с уникальными свойствами.
Фотографии образцов
Основные измеряемые характеристики
Разрешающая способность
Определяется разрешающей способностью иглы и соответствует размеру отдельного атома в латеральных направлениях и до 0,01 нм в вертикальном направлении.
Остаточное давление в камере
10-11 Торр.
Возможность нагрева образцов
до 1500°С.
Дополнительная система позиционирования
Позволяет проводить сканирование поверхности непосредственно после эпитаксии или сублимации.
Дополнительно
Микроскоп оборудован ячейками напуска кислорода и системой эпитаксиального напыления на поверхность кремния или германия.
Получение изображения поверхности образца (контактным, либо резонансным полуконтактным методом, либо нерезонансным полуконтактным методом) — 1800 руб/час
Изучение свойств образца продвинутыми методиками с применением Application modules — 2500 руб/образец
Подготовка образца для проведения измерений или технологической операции — 300 руб/образец
Консультационные услуги по научно-техническим, технологическим и экономическим проблемам, обработка/анализ данных методики АСМ — 900 руб/час
В сферах материаловедения, биологии, медицины (нейрохирургии), авиации, микроэлектроники (запоминающие среды и накопители запоминающих устройств, микро- и наноструктуры)