Оборудование для сканирующей зондовой микроскопии
-
Bruker «Dimension Icon», ГерманияПредназначен для визуализации рельефа поверхности образцов на нано- и субнанометровом уровне, исследований образцов в жидких средах, а также проведение анализа механических, электрических, пьезоэлектрических измерений и зарядовой литографии. -
«НТ-МДТ», РоссияИзмерение трехмерной топологии и параметров микрорельефа поверхности конденсированных сред с атомарным разрешением. -
Scienta Omicron «VTSTM», ШвецияПредназначен для исследования элементарных структурных процессов на поверхности полупроводников и металлов для создания наносистем и новых материалов с уникальными свойствами.
Оборудование для ренгтеновской дифрактометрии
-
Thermo Fisher Scientific «ARLX’TRA», ШвейцарияРентгеновский порошковый дифрактометрОпределение фазового состава пробы, количественное определение известных фаз в смеси, кристаллографический анализ, анализ тонких плёнок.Подробнее
Оборудование для растровой электронной микроскопии
-
Zeiss «Libra120», ГерманияПросвечивающий электронный микроскопДаёт возможность выполнять цитологические исследования клеток животных и растений на ультраструктурном уровне и проводить исследования макромолекул.Подробнее -
Jeol «JEM-2200FSCS», ЯпонияПросвечивающий электронный микроскоп высокого разрешенияОбеспечивает работу в режимах высокоразрешающей просвечивающей электронной микроскопии (ВРЭМ), сканирующей просвечивающей микроскопии (СПМ), получение дифракционных картин, включая дифракцию в сходящихся пучках, проведение спектрального анализа и картирования.Подробнее
Оборудование для просвечивающей электронной микроскопии
-
Jeol «JCM-5700 Carry Scope», ЯпонияРастровый электронный микроскопМикроскоп обеспечивает работу в режимах высокоразрешающей просвечивающей электронной микроскопии (ВРЭМ), сканирующей просвечивающей микроскопии (СПМ), получение дифракционных картин, включая дифракцию в сходящихся пучках, проведение спектрального анализа и картирования с помощью EDS и EELS. Основные измеряемые характеристики: морфология, структура, химический состав.Подробнее -
Raith «Pioneer», ГерманияЭлектронный литограф-электронный микроскопПроведение литографии остросфокусированным пучком электронов, получение растровых электронно-микроскопических изображений.Подробнее
Оборудование для спектрометрии
-
Horiba Jobin Yvon «T64000», ФранцияСпектрометр комбинационного рассеяния светаПредназначен для регистрации спектров комбинационного рассеяния света и фотолюминесценции.Подробнее -
Симекс «ФТ-801», РоссияИК-Фурье спектрометрПредназначен для регистрации спектров поглощения твердых, жидких и газообразных веществ. Идентификация веществ без образцов сравнения.Подробнее
Качественный и количественный анализ смесей, содержащих несколько компонентов. -
ЛОМО «МСФУ»,РоссияСпектрофотометр (диапазон 0.4-1.1 мкм)Предназначен для исследования элементарных структурных процессов на поверхности полупроводников и металлов для создания наносистем и новых материалов с уникальными свойствами.Подробнее -
ВМК-Оптоэлектроника «Колибри-LUM», РоссияСпектрометр (диапазон 0.31-1.1мкм)Предназначен для спектроскопических исследований в диапазоне длин волн от 0,31 до 1,1 мкм (310−1100 нм)Подробнее
Оборудование для эллипсометрии
-
«Катакон», РоссияСпектральный эллипсометр (диапазон 0.25-1 мкм)Комплекс предназначен для изучения оптических характеристик поверхности и тонких слоев в вакууме в широком интервале температур и изучения кинетики температурно-индуцированных процессовПодробнее -
«Катакон», РоссияСканирующий лазерный эллипсометрПредназначен для исследования многослойных структур, состоящих из полупроводниковых, диэлектрических и металлических слоев в произвольном сочетании; измерения спектров оптических постоянных полупроводников, диэлектриков, металлов и других материалов; характеризации структурных и композиционных свойств материалов; исследования свойств поверхности.Подробнее
Оборудование для терагерцовой спектроскопии
-
Microtech Instruments Inc., СШАДиапазон 280-5000 мкм. Используется для измерения спектральных характеристик металлических и псевдометаллических структур; исследований диэлектрических свойств материалов; тестирования спектральных характеристик квазиоптических частотно-избирательных поверхностей; получения амплитудных и фазовых спектров пропускания и отражения. -
SLT Gmbh, ГерманияПироэлектрический детектор, предназначенный для измерения мощности терагерцового излучения. -
Terasense Group Inc., СШАГенератор терагерцового излучения, основанный на технологии IMPATT (IMPact ionization Avalanche Transit-Time).
Оборудование для электрофизических измерений
-
Keithley, СШАУстановка для слаботочных измерений вольт-амперных характеристикПредназначена для исследования структур с малыми рабочими токами (диапазон измерений 1фА-20мА). Пример направлений использования: измерения проводимости и подвижности в высокоомных пленках, туннельных явлений в диэлектрике, температурной зависимости проводимости, эффекта поля, одноэлектронного транспорта.Подробнее
Оборудование для пробоподготовки и модификации образцов
-
Ulvac-RIKO «MILA-5000», СШАИнфракрасная печь для высокотемпературного отжига образцовУстановка для высокотемпературных отжигов образцов размером до 20×20×2 мм3 в атмосфере кислорода, азота, или в высоком вакууме. Установка позволяет проведение длительных отжигов при температурах до 1000 °C и кратковременных отжигов от нескольких секунд до нескольких минут при температурах до 1200 °C.Подробнее
Приборы специального назначения
-
ЛОМО «МИИ-4М-USB», РоссияАвтоматизированный микроскоп-интерферометрПредназначен для измерения микрорельефа поверхностных микроструктур (в том числе дифракционных) и тонких пленок.Подробнее
