Приборный парк ЦКП ВТАН НГУ
Комплекс оборудования для просвечивающей электронной микроскопии
Электронный литограф-электронный микроскоп (комбинированная нанофабрика) Raith «Pioneer» (Raith,Германия)

Производитель: Raith GmbH, Германия
Год: 2013

Назначение:
Проведение литографии остросфокусированным пучком электронов, получение растровых электронно-микроскопических изображений.Минимальное (гарантированное) разрешение около 2 нм (при 20кВ)Минимальный размер элемента менее 20 нмМаксимальный размер образца - 50 мм2

Принципиальная блок-схема устройства электронного литографа Raith Pioneer
Вольфрамовый эмиттер, покрытый оксидом циркония (ZrO/W), имеет в 100 раз большую яркость чем обычные катоды из гексаборида лантана (LaB6), высокостабильный ток эмиссии и малое пятно фокусировки.
Фотографии образцов
Pioneer, являясь гибридом сканирующего электронного микроскопа (СЭМ) и литографа, имеет два основных режима работы: проведение электронноймикроскопии и литографии, что позволяет оперативно проводить диагностику образцов после проведения технологических процессов литографии.
Применение различных методов травления подложки через сформированную литографией маску из резиста и/или осаждения материала на её поверхность, позволяет решать самые разные задачи по структурированию и модификации её поверхности в планарнойтехнологии и созданию метаматериалов. В частности, используя метод сверхвысоковакуумного осаждения, возможно получение покрытий из упорядоченных частиц германия (Ge) на поверхности кремниевой (Si) подложки, обладающих способностью изменять оптоэлектронные свойства подложки и служить в качестве антиотражающих покрытий (Рис.1). Структура показанная на Рис. 2, представляет собой двумерный фотонный кристалл, полученый методом плазмохимического травления КНИ-подложки через маску. Такие ФК способны избирательно излучать свет (фотолюминесценция) в зависимости от геометрических параметров —периода, глубины и диаметра отверстий. Они могут применятся в лазерах, волноводах, усилителях и т.д. На Рис. 3 показана часть «транзисторного кубита»,характерные размеры которого менее 50 нм.На Рис. 4 показано микроскопическое изображение частиц Ge, наповерхности Si полученныхпод действием эффекта твердотельной несмачиваемости

Полезная документация и ссылки для научной и исследовательской работы

Статьи и публикации:

Информация об операторах

Шкляев Александр Андреевич

Доктор физико-математических наук, в.н.с

Уткин Дмитрий Евгеньевич

Научный сотрудник

Заявка
Вы соглашаетесь указывать благодарность ЦКП ВТАН при публикации результатов измерений?
Общая формулировка для указания благодарности:

Авторы благодарят ЦКП "ВТАН" НГУ за предоставление ресурсов измерительного оборудования.

The authors acknowledge core facilities “VTAN” (Novosibirsk State University) for the access to its experimental equipment.

Эта мера благодарности совершенно необременительна для авторов. При этом она необходима и контролируется Министерством при подготовке отчётности нашего ЦКП перед Минобрнауки (иными словами, нужна для стабильного развития системы ЦКП, обновления парка приборов, закупки комплектующих для ремонтов, закупки расходных газов, жидкостей, подложек и т.д.). Заранее благодарим Вас за сотрудничество!

Заранее благодарим Вас за сотрудничество!

Контакты
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Новосибирский национальный исследовательский государственный университет» (Новосибирский государственный университет, НГУ)

Место нахождения: 630090, Новосибирская область, г. Новосибирск, ул. Пирогова, 2
Почтовый адрес: 630090, г. Новосибирск, ул. Пирогова, 1
ИНН 5408106490, КПП 540801001
+7 (383) 363 44 25

nsm@nsm.nsu.ru, p.geydt@nsu.ru

ЦКП "ВТАН" НГУ
Made on
Tilda