Назначение: Проведение литографии остросфокусированным пучком электронов, получение растровых электронно-микроскопических изображений.Минимальное (гарантированное) разрешение около 2 нм (при 20кВ)Минимальный размер элемента менее 20 нмМаксимальный размер образца - 50 мм2
Принципиальная блок-схема устройства электронного литографа Raith Pioneer
Вольфрамовый эмиттер, покрытый оксидом циркония (ZrO/W), имеет в 100 раз большую яркость чем обычные катоды из гексаборида лантана (LaB6), высокостабильный ток эмиссии и малое пятно фокусировки.
Фотографии образцов
Pioneer, являясь гибридом сканирующего электронного микроскопа (СЭМ) и литографа, имеет два основных режима работы: проведение электронноймикроскопии и литографии, что позволяет оперативно проводить диагностику образцов после проведения технологических процессов литографии. Применение различных методов травления подложки через сформированную литографией маску из резиста и/или осаждения материала на её поверхность, позволяет решать самые разные задачи по структурированию и модификации её поверхности в планарнойтехнологии и созданию метаматериалов. В частности, используя метод сверхвысоковакуумного осаждения, возможно получение покрытий из упорядоченных частиц германия (Ge) на поверхности кремниевой (Si) подложки, обладающих способностью изменять оптоэлектронные свойства подложки и служить в качестве антиотражающих покрытий (Рис.1). Структура показанная на Рис. 2, представляет собой двумерный фотонный кристалл, полученый методом плазмохимического травления КНИ-подложки через маску. Такие ФК способны избирательно излучать свет (фотолюминесценция) в зависимости от геометрических параметров —периода, глубины и диаметра отверстий. Они могут применятся в лазерах, волноводах, усилителях и т.д. На Рис. 3 показана часть «транзисторного кубита»,характерные размеры которого менее 50 нм.На Рис. 4 показано микроскопическое изображение частиц Ge, наповерхности Si полученныхпод действием эффекта твердотельной несмачиваемости
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Новосибирский национальный исследовательский государственный университет» (Новосибирский государственный университет, НГУ)
Место нахождения: 630090, Новосибирская область, г. Новосибирск, ул. Пирогова, 2 Почтовый адрес: 630090, г. Новосибирск, ул. Пирогова, 1 ИНН 5408106490, КПП 540801001