Предназначена для исследования структур с малыми рабочими токами (диапазон измерений 1фА-20мА). Пример направлений использования: измерения проводимости и подвижности в высокоомных пленках, туннельных явлений в диэлектрике, температурной зависимости проводимости, эффекта поля, одноэлектронного транспорта.